[发明专利]一种平面结构的VCSEL芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201910046944.5 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109616868A | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 赵炆兼;贾钊;郭冠军;曹广亮;彭钰仁 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面结构的VCSEL芯片及其制作方法，在VCSEL芯片的欧姆接触层一侧，形成有主氧化孔和辅助氧化孔，进而通过主氧化孔和辅助氧化孔能够对限制层进行氧化处理，形成对应导电区为导电结构层和其余部分区为氧化结构层的限制层，以通过氧化结构层达到限制电流的目的，而使得电流自导电结构层处流过，该制作方法工艺简单，且生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化孔 导电结构层 平面结构 氧化结构 限制层 制作 欧姆接触层 生产成本低 限制电流 氧化处理 导电区 主氧化 | ||
【主权项】：
1.一种平面结构的VCSEL芯片，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一表面上的第一半导体多层膜反射镜；位于所述第一半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的有源层；位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体多层膜反射镜，其中，所述第二半导体多层膜反射镜包括有一限制层，所述限制层划分有至少一个导电区，所述限制层在所述导电区为导电结构层，且所述限制层在其余部分区为氧化结构层；位于所述第二半导体多层膜反射镜背离所述衬底一侧的欧姆接触层，其中，在所述欧姆接触层一侧，环绕所述导电区设置有多个主氧化孔，且位于所述多个主氧化孔环绕区域外设置有至少一个辅助氧化孔，所述主氧化孔和所述辅助氧化孔均裸露所述限制层；位于所述欧姆接触层背离所述衬底一侧的保护层，其中，所述保护层覆盖所述欧姆接触层背离所述衬底一侧表面，及所述保护层覆盖所述主氧化孔和所述辅助氧化孔的侧壁和底面，且所述保护层对应所述导电区处为镂空；以及，位于所述衬底背离所述第一半导体多层膜反射镜一侧的背面电极，及位于所述保护层背离所述衬底一侧的正面电极，所述正面电极与所述欧姆接触层电连接，且所述正面电极对应所述导电区处为镂空。
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