[发明专利]3D NAND存储器的阵列共源极的形成方法在审
| 申请号： | 201910047634.5 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109860037A | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 袁野;刘淼;程强;任连娟;郭玉芳;王玉岐 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L29/417 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;高德志 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种3D NAND存储器的阵列共源极的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构中形成有暴露出衬底表面的栅极隔槽；在栅极隔槽的侧壁和底部表面上以及堆叠结构的表面上形成金属接触层；形成覆盖金属接触层的多晶硅层，所述多晶硅层填充满栅极隔槽；回刻蚀去除栅极隔槽中部分厚度的多晶硅层，以金属接触层作为刻蚀停止层；在回刻蚀后的多晶硅层上形成金属插塞。本发明的方法简化了阵列共源极的形成工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 隔槽 金属接触层 堆叠结构 共源极 回刻蚀 衬底 刻蚀停止层 衬底表面 底部表面 金属插塞 侧壁 去除 暴露 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种3D NAND存储器的阵列共源极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有堆叠结构，所述堆叠结构中形成有暴露出衬底表面的栅极隔槽；在栅极隔槽的侧壁和底部表面上以及堆叠结构的表面上形成金属接触层；形成覆盖金属接触层的多晶硅层，所述多晶硅层填充满栅极隔槽；回刻蚀去除栅极隔槽中部分厚度的多晶硅层，以金属接触层作为刻蚀停止层；在回刻蚀后的多晶硅层上形成金属插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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