[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201910048012.4 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN109768133B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 陶章峰;张武斌;乔楠;李鹏;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片的多量子阱层包括交替生长的InGaN量子阱层和量子垒层，量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，第二量子垒层为多量子阱层中最靠近电子阻挡层的一个量子垒层，第一量子垒层为除第二量子垒层之外的量子垒层，第一量子垒层为GaN层，第二量子垒层包括依次层叠的第一GaN子层、第二子层和第三子层，第一子层与量子阱层接触，第二子层和第三子层均包括交替生长的InGaN层和AlGaN层，第三子层中掺有Mg，第三子层中的InGaN层与电子阻挡层接触。本发明提供的发光二极管外延片可以提高空穴的浓度和注入效率，从而提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、以及依次生长在所述衬底上的低温缓冲层、三维成核层、二维恢复层、未掺杂的GaN层、N型层、多量子阱层、电子阻挡层和P型层，所述多量子阱层包括交替生长的量子阱层和量子垒层，所述量子阱层为InGaN层，所述电子阻挡层为AlGaN层，其特征在于，所述量子垒层包括第一量子垒层和第二量子垒层，所述第二量子垒层为所述多量子阱层中最靠近所述电子阻挡层的一个量子垒层，所述第一量子垒层为除所述第二量子垒层之外的量子垒层，所述第一量子垒层为GaN层，所述第二量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层，所述第一子层为GaN层，所述第一子层与所述量子阱层接触，所述第二子层和所述第三子层均包括交替生长的InGaN层和AlGaN层，所述第三子层中掺有Mg，所述第三子层中的InGaN层与所述电子阻挡层接触。
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