[发明专利]双向TVS二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910048422.9 | 申请日： | 2019-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN111463291A | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 陈创;高萌 | 申请（专利权）人： | 徐州市晨创电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 221000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双向TVS二极管及其制备方法，所述双向TVS二极管包括：衬底；N型半导体层，包括第一N型半导体层及第二N型半导体层，第一N型半导体层和第二N型半导体层为n+掺杂，第一N型半导体层的掺杂浓度高于第二N型半导体层的掺杂浓度；P型注入区，包括第一P型注入区及第二P型注入区，第二P型注入区中的p+离子注入浓度大于第一P型注入区中的p+离子注入浓度；电极，包括第一电极及第二电极；钝化层，包括第一钝化层及第二钝化层，所述第一电极贯穿第一钝化层设置，第二电极贯穿第二钝化层设置。本发明的TVS二极管通过优化N型半导体层和P型注入区的结构，大大提高了二极管的抗静电性能，减小了雪崩击穿现象，提高了器件可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 tvs 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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