[发明专利]一种高效低成本N型背结PERT双面电池的制造方法

摘要

本发明属于太阳能电池制造领域，具体涉及一种高效低成本N型背结PERT(Rear junction passivation emitter and rear totally diffused cell)双面电池的制造方法。利用特殊的扩散工艺省去了传统太阳能电池制造中的去PSG和去BSG工序，同时兼有氧化硅钝化的作用。利用特殊的氮化硅工艺和化学刻蚀工艺，可以精确可控的去除边缘绕镀和绕扩，解决边缘漏电问题。利用特殊的可烧穿型铝浆，实现自对准功能，省去了激光开槽工序。本方法全部工序步骤只需7步，极大简化了制造流程，节省制造成本。

主权项

1.一种高效低成本N型背结PERT双面电池的制造方法，其特征在于：所述制造方法具体步骤如下：(1)抛光刻蚀采用N型硅片，硅片厚度120‑250um，电阻率范围0.5‑10ohm.cm；采用TMAH溶液对N型硅片进行抛光；其中，TMAH溶液的体积浓度15‑25％，溶液温度50‑80℃，抛光刻蚀时间200‑400s，抛光刻蚀重量0.4‑1.0g，所形成的硅(100)晶面方块大小20‑30um；(2)硼扩散所用硼源为BBr₃，通过N₂作为载气通入炉中；扩散时先通入大流量氧气在硅表面形成氧化阻挡层，然后通过分段通源+推进的方式进行扩散掺杂；最后一步通源后进行高温推进；(3)背面氮化硅镀膜使用PECVD设备进行背面氮化硅镀膜，氮化硅的膜厚范围30‑50nm，该层氮化硅折射率2.0‑2.2；(4)制绒使用TMAH溶液进行制绒，在制绒之前先将电池在体积浓度0.5％的HF溶液中刻蚀300‑700s，然后进行制绒，形成3‑6um大小的金字塔结构；其中，TMAH溶液的体积浓度5％‑10％，溶液温度50‑80℃，制绒时间10‑15min，制绒减重0.2‑0.4g；(5)磷扩散所用P源为POCl₃，通过氮气携带进入炉管，扩散时先通入大流量氧气在硅表面形成氧化阻挡层，然后通过两步磷源沉积；(6)正面氮化硅镀膜使用PECVD设备进行正面氮化硅镀膜，氮化硅的膜厚范围60‑70nm，该层氮化硅折射率2.0‑2.2；(7)丝网印刷正面采用浆料型号为9642B或9641H的银浆；背面采用浆料型号为06E2‑B或TB‑07EY的铝浆；背面设计为印刷铝线，以实现双面电池设计，印刷烘干后，电池进入带式烧结炉共烧，形成最终成品电池。