[发明专利]一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路

摘要

本发明公开了一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路，包括触发信号模块及CMOS脉冲产生模块，所述触发信号模块连接CMOS脉冲产生模块，CMOS脉冲产生模块产生脉冲输出。本发明利用与门输入与输出之间竞争的关系，从而产生一个短脉冲。脉冲的幅度和脉宽能够通过调节变容管和MOSFET的偏压大小来控制。可以产生脉宽在80ps‑270ns范围，幅度最高达到1.8V的电脉冲信号。可以方便的应用于半导体激光器的驱动。

主权项

1.一种用于半导体激光器的皮秒级脉冲发生电路，其特征在于，该电路包括：触发信号模块及CMOS脉冲产生模块，所述触发信号模块连接CMOS脉冲产生模块，CMOS脉冲产生模块产生脉冲输出；其中：所述触发信号模块包括晶振U1、电位器R1、电阻R2、电容C5、电容C6及电容C7，所述晶振U1的VCC端通过并联的三个电容C5、电容C6及电容C7接电源VCC，GND端接地，OUT端通过连接电位器R1控制晶振输出信号的幅值，调节后的输出信号接入到下级CMOS脉冲产生模块，电阻R2与触发信号模块的输出端并联后接地；所述CMOS脉冲产生模块包括CMOS脉冲产生芯片Pulse_G、电位器R3、电位器R4、电容C7、电容C8及电容C9，其中CMOS脉冲产生芯片Pulse_G拥有数个管脚分别对应：脚0为Vss端接地；脚1为IN端接前级触发模块输出的触发信号；脚2为TB控制端接电位器R3有效端，电位器R3左右两端一端接电源VDD、一端接地；脚3为OUT端为脉冲信号输出端，脚4为PAD_VDD端接电源VDD；脚5为CORE_VDD端通过并联电容C8、电容C9和电容C10接电源VDD；脚6为TA控制端、接电位器R4有效端，电位器R4左右两端一端接电源VDD、一端接地。