[发明专利]一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910051976.4 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109801958B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 刘胜北;蔡文必 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L21/266;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件，由下至上包括：阴极电极、衬底层、N型SiC外延层、沟槽、介质层、导电层及阳极电极，复数个的沟槽位于N型SiC外延层的顶部，介质层和导电层依次填充在沟槽内，还包括P型区，该P型区嵌入于部分沟槽之间并位于N型SiC外延层与阳极电极的连接处。本发明既可以提高器件的正向导通电流密度，又可以提高浪涌能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 沟槽 肖特基 二极管 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅沟槽肖特基二极管器件，由下至上包括：阴极电极、衬底层、N型SiC外延层、沟槽、介质层、导电层及阳极电极，复数个的沟槽位于N型SiC外延层的顶部，介质层和导电层依次填充在沟槽内，其特征在于：还包括P型区，该P型区嵌入于部分沟槽之间并位于N型SiC外延层与阳极电极的连接处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门市三安集成电路有限公司，未经厦门市三安集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910051976.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
