[发明专利]利用Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法在审
| 申请号： | 201910051991.9 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN109647389A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 邓金祥;张浩;段苹;李瑞东;徐智洋;孙俊杰 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | B01J23/62 | 分类号： | B01J23/62;B01J37/34;B01J37/06;C02F1/30;C02F101/30 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 利用Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜光催化降解有机污染物的方法属于半导体材料光催化降解有机污染物领域。本发明采用Au纳米颗粒作为Ga2O3薄膜的负载材料来增强Ga2O3材料的催化降解效率。采用直流磁控溅射法在Ga2O3薄膜上沉积一层Au膜，并通过退火的方式使Au薄膜变成Au纳米颗粒形态。本发明利用Au纳米颗粒的等离激元作用来提高Ga2O3材料降解有机污染物的降解效率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 催化降解有机污染物 有机污染物 薄膜光 半导体材料 退火 催化降解效率 磁控溅射法 光催化降解 材料降解 采用直流 等离激元 负载材料 降解效率 沉积 | ||
【主权项】：
1.Au纳米颗粒增强Ga2O3薄膜的制备方法，其特征在于：(1)采用石英片作为Ga2O3薄膜生长的基片，对石英基片进行超声清洗；(2)利用射频磁控溅射设备在石英基片上沉积一层Ga2O3薄膜材料；(3)利用直流溅射设备在Ga2O3薄膜材料上生长一层Au薄膜；(4)利用管式炉对覆盖有Au薄膜的Ga2O3薄膜材料进行热退火处理。
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