[发明专利]一种AlSiC/AlSi两相材料及其制备方法

摘要

本发明涉及复合材料技术领域，具体为一种AlSiC/AlSi两相材料的制备方法，以及由该制备方法制备的AlSiC/AlSi两相材料。本发明先通过使用由所述不同粒径的碳化硅粉料、氧化铝、高岭土、苏州土形成的粉料制备形成多孔碳化硅陶瓷基体M6，再由含有所述不同粒径的硅粉的硅蜡浆料M7在陶瓷基体M6的基础上制备形成硅与碳化硅表层扩散相结合的陶瓷基体M9，最后向陶瓷基体M9中渗透铝制备形成具有AlSiC和AlSi两相的复合材料，该复合材料结合铝碳化硅和铝硅优势于一体，导热率高、膨胀系数可调、密度低、强度好。

主权项

1.一种AlSiC/AlSi两相材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将粒径分别为4‑5μm、30‑35μm、50‑60μm、80‑90μm的四种碳化硅粉料混合均匀，得到粉料M1；S2、向粉料M1中加入氧化铝、高岭土、苏州土并混合均匀，得到混合物M2；S3、配制溶质的质量百分浓度为5‑15％的溶液M3，所述溶质包括以下质量百分比的各组分：羟甲基丙基纤维素钠5‑30％、聚乙烯醇50‑80％、十六烷基三甲基溴化铵5‑20％、磷酸三丁酯1‑10％；S4、将溶液M3与混合物M2混合均匀，得到坯料M4；然后将坯料M4放入模具中并压制成型，得到坯体M5；S5、对坯体M5进行烧结处理，得到陶瓷基体M6；所述烧结处理的排胶温度为200‑500℃，烧结温度为1000‑1500℃；S6、将由粒径分别为4‑6μm和50‑60μm的两种硅粉组成的硅粉组合物加入到融化的蜡浆中并混合均匀，得到硅蜡浆料M7；S7、将陶瓷基体M6置于热压铸模具中，抽真空，然后在75‑95℃下将硅蜡浆料M7注入热压铸模具中，冷却后脱模，得到坯体M8；S8、将坯体M8埋于氧化铝粉末中并进行烧结处理，得到陶瓷基体M9；所述烧结处理的排蜡温度为100‑300℃，烧结温度为900‑1200℃；S9、将陶瓷基体M9放入石墨模具中并连同石墨模具一起放入差压铸造浸渗炉中，对石墨模具抽真空，然后以1‑5MPa的压力将铝合金熔液注入石墨模具内使铝合金熔液注入陶瓷基体M9的孔隙中，冷却后得到AlSiC/AlSi两相材料。