[发明专利]一种硅衬底上的III族氮化物层在审
| 申请号： | 201910055992.0 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109887997A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/778;H01L31/0304;H01L31/101;H01L33/32;H01S5/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅衬底上的III族氮化物层，包括硅衬底，以及依次位于硅衬底上的III族氮化物缓冲层、III族氮化物底层和III族氮化物功能层；其中：所述III族氮化物底层包括有中间层和基底层，所述中间层的组分为BxAlyGa1‑x‑yN，其中0.05≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1，所述基底层的组分为AlzGa1‑zN，其中0≤z≤1。本发明的优点在于：和传统在硅衬底上生长III族氮化物层时使用的AlGaN中间层相比，由于B‑N键比Al‑N键具有更大的键强和更强的断裂韧性，可以在生长过程中累积更多的压缩应力，从而可以实现更大临界断裂厚度的III族氮化物层，进而提升了III族氮化物半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅衬底 中间层 基底层 断裂韧性 生长过程 压缩应力 功能层 断裂 生长 | ||
【主权项】：
1.一种硅衬底上的III族氮化物层，包括硅衬底，以及依次位于硅衬底上的III族氮化物缓冲层、III族氮化物底层和III族氮化物功能层；其特征在于：所述III族氮化物底层包括有中间层和基底层，所述中间层的组分为BxAlyGa1‑x‑yN，其中0.05≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1，所述基底层的组分为AlzGa1‑zN，其中0≤z≤1。
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