[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201910056321.6 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109817642B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈黎暄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，通过利用图案化的黑色聚酰亚胺层作为可见光的吸收层且图案化的黑色聚酰亚胺层和图案化的绝缘层构成可见光的高反射介质层以避免可见光照射至有源层，图案化的黑色聚酰亚胺层和图案化的绝缘层作为非导电层不会与薄膜晶体管阵列基板中的导电层形成寄生电容。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括如下步骤：提供一基板；于所述基板上形成依次层叠的图案化的绝缘层和图案化的黑色聚酰亚胺层，所述图案化的绝缘层对可见光的折射率大于所述基板和所述图案化的黑色聚酰亚胺层对可见光的折射率；于所述图案化的黑色聚酰亚胺层上方形成有源层；于所述有源层上方形成导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
