[发明专利]存储器及其操作方法

摘要

本发明公开了一种存储器，存储单元包括：3个依次排列在第一和第二源漏区之间的3个栅极结构；第一和第三栅极结构由第一栅介质层、浮栅、第二栅介质层和多晶硅控制栅叠加而成，形成两个存储位以及两个控制栅；第二栅结构位于第一和第三栅极结构之间并形成选择栅；由浮栅形成的两个存储位的擦除和编程操作都采用FN隧穿实现，在擦除和编程操作中第一和第二源漏区都接地，仅需对第一控制栅、选择栅和第二控制栅的电压进行控制就能实现对存储位的选定以及对选定的存储位进行擦除或编程。本发明还公开了一种存储器的操作方法。本发明能对存储单元的两个存储位进行分开操作，实现单存储位操作，实现存算一体操作。

主权项

1.一种存储器，其特征在于：包括多个存储单元，各所述存储单元包括：第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构、第一源漏区和第二源漏区；所述第一栅极结构由形成于半导体衬底表面的第一栅介质层、浮栅、第二栅介质层和多晶硅控制栅叠加而成；所述第二栅极结构由形成于半导体衬底表面的第三栅介质层和多晶硅栅组成；所述第三栅极结构由形成于半导体衬底表面的第一栅介质层、浮栅、第二栅介质层和多晶硅控制栅叠加而成；由位于所述第一源漏区和所述第二源漏区之间的所述半导体衬底组成沟道区；所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构排列在所述第一源漏区和所述第二源漏区之间的所述沟道区表面上，由所述第一栅极结构、所述第二栅极结构和所述第三栅极结构共同控制所述沟道区表面的沟道的形成；所述第一栅极结构的多晶硅控制栅作为所述存储单元的第一控制栅；所述第二栅极结构的多晶硅栅作为所述存储单元的选择栅；所述第三栅极结构的多晶硅控制栅作为所述存储单元的第二控制栅；所述第一栅极结构的浮栅为第一存储位，所述第三栅极结构的浮栅为第二存储位，所述第一存储位和所述第二存储位的擦除和编程操作都采用FN隧穿实现，在擦除和编程操作中所述第一源漏区和所述第二源漏区都接地，仅需对所述第一控制栅、所述选择栅和所述第二控制栅的电压进行控制就能实现对存储位的选定以及对选定的存储位进行擦除或编程。