[发明专利]一种双向输出半导体激光器在审
| 申请号： | 201910056761.1 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109687286A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | 邹永刚;海一娜;范杰;石琳琳;王海珠;兰云萍;马晓辉;徐英添;张贺;郝永芹 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请属于半导体封装技术领域，特别是涉及一种双向输出半导体激光器。现有的双向输出半导体激光器结构复杂，制备工艺繁琐。本申请提供了一种双向输出半导体激光器，包括相对设置的N面电极和P面电极，N面电极与P面电极之间设置有功能层，在第一方向上，功能层包括依次设置的衬底、N型限制层、N型波导层、有源区、P型波导层和P型限制层，第一方向为由所述N面电极指向P面电极的方向；P面电极与P型限制层之间设置有二阶光栅层，二阶光栅层设置于P型限制层上。实现了高功率、高光束质量双向激光输出；此外该双向输出半导体激光器制作简单，体积小，适用于半导体激光加工、光纤激光器和固体激光器泵浦等领域应用。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 输出 二阶光栅 功能层 半导体封装技术 半导体激光 固体激光器 光纤激光器 领域应用 双向激光 相对设置 依次设置 制备工艺 高功率 高光束 体积小 泵浦 衬底 源区 申请 指向 制作 加工 | ||
【主权项】：
1.一种双向输出半导体激光器，其特征在于：包括相对设置的N面电极(1)和P面电极(2)，所述N面电极(1)与所述P面电极(2)之间设置有功能层，在第一方向上，所述功能层包括依次设置的衬底(3)、N型限制层(4)、N型波导层(5)、有源区(6)、P型波导层(7)和P型限制层(8)，所述第一方向为由所述N面电极(1)指向所述P面电极(2)的方向；所述P面电极(2)与所述P型限制层(8)之间设置有二阶光栅层(9)，所述二阶光栅层(9)设置于所述P型限制层(8)上。
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