[发明专利]光刻胶去除方法及铝制程工艺方法在审
| 申请号： | 201910057300.6 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN109557774A | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈宏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻胶去除方法和一种铝制程工艺方法，在本发明提供的光刻胶去除方法和铝制程工艺方法中，以一光刻胶层为腌膜对基底上形成的金属结构层进行刻蚀后，对所述光刻胶层进行灰化处理分两步进行，第一步是在120℃～140℃下，第二步是在290℃～310℃下，如此便可避免后续清洗步骤使得金属结构层中出现空洞。如上所述，当灰化处理的温度过高时，光刻胶发生固化附着力会增强，从而难以被除去，因此，先用相对较低的温度(120℃～140℃)进行初步处理，而后再用相对较高的温度(290℃～310℃)进一步处理，如此，便可缩短光刻胶在较高温度下的时间，从而避免光刻胶发生固化而导致难以清除的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶去除 光刻胶 铝制 金属结构层 光刻胶层 灰化处理 固化 附着力 初步处理 温度过高 基底 刻蚀 清洗 空洞 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶去除方法，用于铝制程工艺中，其特征在于，所述方法包括：以一光刻胶层为掩膜对基底上形成的金属结构层进行刻蚀后，先在120℃～140℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理，再在290℃～310℃的温度下对所述光刻胶层进行灰化处理，以及，对灰化处理后的所述光刻胶层进行清洗处理；其中，所述金属结构层包括一铝层，所述铝层中掺杂有铜。
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