[发明专利]多级连半导体结构及其形成方法

摘要

本发明提供了一种级连半导体结构及其形成方法，所述级连半导体结构包括掺杂区和位于所述掺杂区上的多级连栅极，所述多级连栅极包括两个以上栅极，所述掺杂区包括多个交替分布的第一掺杂区与第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述栅极下方，所述第二掺杂区位于所述栅极两侧，相邻所述栅极之间设置有间隙，所述间隙为若干通孔。在本发明提供的级连半导体结构及其形成方法中，通过多级连栅极的结构使得去掉了形成于其中连接源/漏区的接触孔，从而在相邻栅极之间具有空间可形成间隙，采用若干通孔的方式通过形成在层间介质中的间隙来减小寄生电容的大小，进而提高级连半导体结构的开关性能。

主权项

1.一种多级连半导体结构，其特征在于，所述多级连半导体结构包括掺杂区和位于所述掺杂区上的多级连栅极，所述多极连栅极包括两个以上栅极，所述掺杂区包括多个交替分布的第一掺杂区与第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述栅极下方，所述第二掺杂区位于所述栅极两侧，相邻所述栅极之间设置有间隙，所述间隙为若干通孔。