[发明专利]一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法在审
申请号: | 201910058819.6 | 申请日: | 2019-01-22 |
公开(公告)号: | CN109678498A | 公开(公告)日: | 2019-04-26 |
发明(设计)人: | 蒲永平;史瑞科;郭旭;李经纬;杨梦蝶;王雯;师裕 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B35/475 | 分类号: | C04B35/475;C04B35/64 |
代理公司: | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人: | 刘华 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公布了一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法,在对NBT压电陶瓷进行烧结的同时,向其陶瓷坯体两端施加电场。在电场作用下,陶瓷在低温下可以实现快速致密化;解决了NBT在传统烧结过程中由于高温长时间烧结所导致的Bi元素挥发和高能耗的问题。本发明所制备的NBT压电陶瓷致密度高,具有应用前景。 | ||
搜索关键词: | 压电陶瓷 快速烧结 烧结 快速致密化 电场 电场作用 烧结过程 陶瓷坯体 挥发 制备 陶瓷 施加 应用 | ||
【主权项】:
1.一种低温快速烧结NBT压电陶瓷的方法,其特征在于,包括如下步骤:在对NBT压电陶瓷进行烧结的同时,向其陶瓷坯体两端施加电场,使得陶瓷在低温下可以实现快速致密化。
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