[发明专利]MOS栅晶体管及其构建方法有效
| 申请号： | 201910059680.7 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111463269B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | 樱井建弥;吴磊;曹明霞 | 申请（专利权）人： | 上海睿驱微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种MOS栅晶体管及其构建方法，其包括：发射极、多晶硅栅极结构、n型多晶硅层、p基极区、n+型发射区、n‑型漂移区、n型缓冲区、p型集电极区、以及集电极；n‑型漂移区的上方设置n型多晶硅层，n型多晶硅层中形成有p基极区以及n+型发射区；n型多晶硅层上设置有多晶硅栅极结构，其包括从下而上设置栅氧化层、多晶硅栅膜以及含硼及磷的硅化物，含硼及磷的硅化物上方设置有发射极；p基极区以及n+型发射区上方设置有接触孔；n‑型漂移区的下方设置n+型缓冲区，n+型缓冲区的下方依次设置p型集电极区及集电极。本发明的MOS栅晶体管能兼顾通态电压及关断时间两个参数的取值，实现比较理想的载流子分布。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 构建 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海睿驱微电子科技有限公司，未经上海睿驱微电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910059680.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种加密代理流量检测方法和装置
- 下一篇：通信方法和光模块
- 同类专利
- 专利分类
