[发明专利]等离子体处理装置

摘要

本发明的等离子体处理装置提高等离子体处理装置的合格率。具备：处理室；样品台，设置在该处理室内部，对被处理物进行载置；真空排气部，将处理室内部排气成真空；和等离子体产生部，在处理室内部产生等离子体，在处理室内部载置被处理物的样品台，具备：第1金属制基材，在内部形成有冷媒的流路；第2金属制基材，处于该第1金属制基材上部且热传导率比第1金属制基材小；和多个升降销钉，使被处理物相对于样品台上下地移动，在第1金属制基材和第2金属制基材形成穿过多个升降销钉的多个贯通孔，在多个贯通孔各自的内部构成为使升降销钉和第1金属制基材以及第2金属制基材电绝缘，且将由热传导率比第2金属制基材高的绝缘构件形成的凸台插入。

主权项

1.一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置具备：处理室，由真空容器形成；样品台，设置在所述处理室的内部，对被处理物进行载置；真空排气部，具备真空泵，将所述处理室的内部排气成真空；以及等离子体产生部，具备电源，在所述处理室的内部产生等离子体，该等离子体处理装置的特征在于，所述样品台具备：第1金属制的基材，在内部形成有冷媒的流路；第2金属制的基材，处于所述第1金属制的基材的上部且热传导率比所述第1金属制的基材小；绝缘膜层，由将所述第2金属制的基材的表面覆盖的绝缘构件形成且在内部形成电极，利用静电力吸附载置在上表面的所述被处理物；以及多个升降销钉，在停止了所述静电力作用下的吸附的状态下，使所述被处理物相对于所述绝缘膜层的上表面上下地移动，在所述第1金属制的基材、所述第2金属制的基材和所述绝缘膜层形成穿过多个所述升降销钉的多个贯通孔，在多个所述贯通孔各自的内部，使所述升降销钉和所述第1金属制的基材以及所述第2金属制的基材电绝缘，并且将由热传导率比所述第2金属制的基材大的绝缘构件形成的凸台插入。