[发明专利]发光装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910062008.3 申请日: 2019-01-23
公开(公告)号: CN110112123A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 郑景太;陈效义;任益华;胡玮珊;蓝培轩 申请(专利权)人: 晶元光电股份有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/54;H01L33/58;H01L33/62
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种发光装置及其制造方法,该发光装置包括第一发光元件、第二发光元件、反射围栏及显色层。第一发光元件发出一波峰不大于500nm的第一光线。第二发光元件发出一波峰不大于500nm的第二光线。反射围栏位于第一发光元件与第二发光元件之间,并环绕第一发光元件与第二发光元件。显色层包括第一区域及第二区域。第一区域覆盖第一发光元件并允许第一光线直接通过,且第二区域覆盖第二发光元件并将第二光线转换成一波峰大于500nm的第三光线。
搜索关键词: 发光元件 发光装置 波峰 第二区域 第一区域 显色层 反射 围栏 光线转换 覆盖 制造 环绕
【主权项】:
1.一种发光装置,其特征在于,包括:第一发光元件,用以发出一波峰不大于500纳米(nm)的第一光线;第二发光元件,用以发出一波峰不大于500nm的第二光线;反射围栏,位于该第一发光元件与该第二发光元件之间,并环绕该第一发光元件与该第二发光元件;以及显色层,包括第一区域及第二区域;其中,该第一区域覆盖该第一发光元件,并允许该第一光线直接通过,且该第二区域覆盖该第二发光元件,并将该第二光线转换成一波峰大于500nm的第三光线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶元光电股份有限公司,未经晶元光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910062008.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top