[发明专利]一种OLED阳极材料处理方法和装置及OLED结构有效
| 申请号： | 201910062018.7 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109920925B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 王宽冒;耿玉洁;赵联波;蒋秉轩 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 左文;段志慧 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种OLED阳极材料处理方法，该方法包括：通过铝腔室进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；通过具有氧化性气体对所述阳极携带铝薄膜的OLED基板进行富氧处理，生成铝化合物层；通过ITO腔室基于富氧处理后的所述铝化合物层进行ITO薄膜沉积。通过上述方案，有效解决铝薄膜因与ITO薄膜中氧发生反应，从而影响阳极反射率问题，能够有效提高阳极反射率；使得经过富氧处理后的铝薄膜界面具有更好的稳定性和隔离作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 oled 阳极 材料 处理 方法 装置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种OLED阳极材料处理方法，其特征在于，所述方法包括：进行OLED基板阳极铝薄膜沉积，获得阳极携带铝薄膜的OLED基板；通过具有反应元素的气体对所述OLED基板的铝薄膜进行表面处理，生成具有隔离氧扩散作用的铝化合物层；在生成的所述铝化合物层上进行ITO薄膜沉积。
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