[发明专利]一种多波长激光器的制备方法有效
| 申请号： | 201910062037.X | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN111478181B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 李志虎;朱振;张新;郑兆河;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 潍坊华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 261061 山东省潍坊市高*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种多波长激光器的制备方法，在一次生长过程中制备出复合波长多量子阱结构，因此不需要对单一波长的多量子阱发光结构或器件进行键合，即可产生复合波长的光输出，因此不存在键合金属层对光的反射，可消除因结构引起的光效率降低，在LD器件的应用中提高了发光效率。由于AlGaAs或AlGaInP材料的晶格与GaAs衬底材料的晶格常数相匹配，因此无应力波导层生长后无应力，其会抵消生长AlGaInAs第一量子阱发光区时产生的应力，同时也会抵消在其之上继续生长GaAsP第二量子阱发光区时产生的应力。无应力的AlGaInAs第一量子阱和GaAsP第二量子阱的晶体质量会更好，其发光的波长更加可控。电子与空穴复合机率变大，提高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波长 激光器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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