[发明专利]一种基于SenseFET的压控采样器件有效
| 申请号： | 201910062554.7 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109768089B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;杨洋;彭鑫;赵一尚;程然;何云娇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于SenseFET的压控采样器件，第二导电类型半导体漂移区上表面设有第一个第一导电类型半导体采样电压控制区和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区，第一个第一导电类型半导体采样电压控制区和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区位于第一导电类型半导体掺杂区的右侧、第二导电类型半导体掺杂区的左侧，第一个第一导电类型半导体采样电压控制区和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区之间具有电压感测电极；本发明器件在开启周期可通过栅极实现采样电流的可控性，关断周期可以实现芯片自供电，在实现原有电流采样功能的基础上，器件在导通过程中可以实现从低电压到高电压瞬态的电压跟随，以检测漏极电压的变化，且采样电压的采样比可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sensefet 采样 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于SenseFET的压控采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底(1)、第一导电类型半导体衬底(1)右侧上表面的第一导电类型半导体掺杂区(3)、位于第一导电类型半导体衬底(1)上表面第一导电类型半导体掺杂区(3)左侧的第二导电类型半导体漂移区(2)；所述第一导电类型半导体掺杂区(3)上表面具有衬底金属电极(18)；所述第二导电类型半导体漂移区(2)上表面从左往右依次设置第二导电类型半导体漏区(4)、第一导电类型半导体掺杂区(5)、第一导电类型半导体掺杂区(6)、和第二导电类型半导体掺杂区(10)；所述第一导电类型半导体掺杂区(6)中具有第一导电类型半导体表面重掺杂区(7)；所述第一导电类型半导体掺杂区(5)上表面具有氧化层(19)；所述氧化层(19)中具有第一多晶硅(11)和第二多晶硅(12)构成的场板结构；所述第二导电类型半导体漏区(4)上表面和第一多晶硅(11)之间具有漏极金属(20)连接；所述第一导电类型半导体表面重掺杂区(7)上表面和第二多晶硅(12)之间具有栅极金属(13)连接；其特征在于：所述第二导电类型半导体漂移区(2)上表面设有第一个第一导电类型半导体采样电压控制区(8)和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区(9)，第一个第一导电类型半导体采样电压控制区(8)和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区(9)位于第一导电类型半导体掺杂区(6)的右侧、第二导电类型半导体掺杂区(10)的左侧，所述第一个第一导电类型半导体采样电压控制区(8)上表面具有第一金属电极(14)；所述第二个第一导电类型半导体采样电压控制区(9)上表面具有第三金属电极(16)；所述第二导电类型半导体漂移区(2)上表面第一个第一导电类型半导体采样电压控制区(8)和第二个第一导电类型半导体采样电压控制区(9)之间具有第二金属电极(15)，第二导电类型半导体掺杂区10上表面具有电流感测电极(17)。
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