[发明专利]一种基于LIGBT的栅控型采样器件

摘要

本发明提供一种基于LIGBT的栅控型采样器件，第一导电类型半导体体区中具有第二导电类型半导体阴极区，第二导电类型半导体阴极区的右侧设置第一导电类型半导体阴极区，第一导电类型半导体阴极区的右侧依次设置第一个第二导电类型半导体掺杂区、与第一个第二导电类型半导体掺杂区紧邻的第一导电类型半导体掺杂区、和第一导电类型半导体掺杂区紧邻的第二个第二导电类型半导体掺杂区；第二导电类型半导体阴极区和第一导电类型半导体阴极区上表面具有第三金属电极；本发明器件在导通状态可以实现对流经器件的电流进行采样，关断瞬态可以实现对阳极电压的检测，电流采样与电压采样交替进行，且采样精度高，采样比可控。

主权项

1.一种基于LIGBT的栅控型采样器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底(1)和位于第一导电类型半导体衬底(1)下表面的衬底金属电极(19)；所述第一导电类型半导体衬底(1)上表面具有外延氧化层(2)；所述外延氧化层(2)上表面具有第二导电类型半导体漂移区(3)；所述第二导电类型半导体漂移区(3)中具有第二导电类型半导体掺杂区(4)；所述第二导电类型半导体掺杂区(4)中具有第一导电类型半导体阳极区(5)，所述第一导电类型半导体阳极区(5)上表面具有第二金属电极(11)；所述第二导电类型半导体漂移区(3)中具有第一导电类型半导体体区(13)；所述第一导电类型半导体体区(13)上表面具有氧化层(12)；所述氧化层(12)中具有金属栅极(14)；所述第二导电类型半导体漂移区(3)中右侧具有第一导电类型半导体体区(18)；其特征在于：所述第一导电类型半导体体区(18)中具有第二导电类型半导体阴极区(6)，第二导电类型半导体阴极区(6)的右侧设置第一导电类型半导体阴极区(9)，第一导电类型半导体阴极区(9)的右侧依次设置第一个第二导电类型半导体掺杂区(7)、与第一个第二导电类型半导体掺杂区(7)紧邻的第一导电类型半导体掺杂区(8)、和第一导电类型半导体掺杂区(8)紧邻的第二个第二导电类型半导体掺杂区(7)；所述第二导电类型半导体阴极区(6)和第一导电类型半导体阴极区(9)上表面具有第三金属电极(15)；所述第二导电类型半导体掺杂区(7)上表面具有第四金属电极(16)；所述第一导电类型半导体掺杂区(8)上表面具有第一金属电极(10)。