[发明专利]制作像素阵列的方法有效
申请号: | 201910062944.4 | 申请日: | 2019-01-23 |
公开(公告)号: | CN110098208B | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
发明(设计)人: | 渡辺一史;熊志伟;戴幸志;琳赛·亚历山大·葛兰特 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 汪丽红 |
地址: | 美国加州圣克*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 制作像素阵列的方法。多色高动态范围图像传感器至少包括:第一组合彩色像素,具有第一滤色器;及相邻的第二组合彩色像素,具有与第一滤色器不同的第二滤色器,其中每一组合彩色像素包括具有至少两个相邻的光电二极管的至少两个子像素。在每一组合彩色像素内存在介电性深沟槽隔离(d‑DTI)结构,以隔离具有相同的滤色器的两个相邻的子像素的两个相邻的光电二极管以防止发生电串扰。在具有不同的滤色器的两个相邻的组合彩色像素之间存在混合深沟槽隔离(h‑DTI)结构,以隔离具有不同的滤色器的两个相邻的子像素的两个相邻的光电二极管,以防止发生光学串扰及电串扰二者。每一组合彩色像素在所有侧上被混合深沟槽隔离(h‑DTI)结构封闭。 | ||
搜索关键词: | 制作 像素 阵列 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制作像素阵列的方法,其特征在于,包括:提供半导体材料,所述半导体材料具有第一侧及与所述第一侧相对的第二侧;蚀刻出至少两个第一沟槽结构及至少一个第二沟槽结构,其中所有所述沟槽均具有相同的几何结构且均从所述半导体材料的所述第一侧朝所述半导体材料的所述第二侧延伸;加宽所述第二沟槽结构,以形成与所述半导体材料的所述第一侧邻近的浅的部分以及设置在所述浅的部分与所述半导体材料的所述第二侧之间的深的部分;在所述第二沟槽结构的所述深的部分及所述浅的部分内以及在所述两个第一沟槽结构内沉积介电材料;在所述第二沟槽结构的所述浅的部分的区内沉积金属,使得所述浅的部分内的所述介电材料设置在所述金属与所述半导体材料之间;在所述半导体材料中设置第一组合像素,所述第一组合像素在所述半导体材料的所述第一侧与所述第二侧之间,其中所述第一组合像素包括被配置成接收第一波长的光的至少两个相邻的第一感光组件,且其中所述第一沟槽结构中的一者设置在所述两个相邻的第一感光组件之间;在所述半导体材料中设置第二组合像素,所述第二组合像素在所述半导体材料的所述第一侧与所述第二侧之间,其中所述第二组合像素包括被配置成接收第二波长的光的至少两个相邻的第二感光组件,其中所述第一沟槽结构中的另一者设置在所述两个相邻的第二感光组件之间;以及其中所述第一组合像素相邻于所述第二组合像素,且所述第二沟槽结构设置在所述第一组合像素与所述第二组合像素之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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