[发明专利]一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910063212.7 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109768160B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 李阳;王文晓;岳文静;张春伟 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 郑平 |
| 地址： | 250022 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器及其制备方法，属于忆阻器技术领域。所述忆阻器为MIM形式结构，其结构从下至上依次为：底电极、二硫化钼/硫化锌双层薄膜功能层、顶电极。本发明的这种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器具有MoS |
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| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 硫化锌 功能 结构 忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二硫化钼/硫化锌双功能层结构忆阻器，其特征在于：所述忆阻器为MIM形式结构，其结构从下至上依次为：底电极、二硫化钼/硫化锌双层薄膜功能层、顶电极。
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