[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910064263.1 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109841688B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 柳斌;邓丽霞 | 申请（专利权）人： | 浙江工业职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 杭州鼎乎专利代理事务所(普通合伙) 33377 | 代理人： | 黄勇 |
| 地址： | 312000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜晶体管技术领域，且公开了一种薄膜晶体管，包括衬底、栅极、栅介质层、有源层、漏极、源极、刻蚀阻挡层、钝化层、基底、格栅、微透镜和反射片，所述栅极设置于衬底顶部的中间位置。本发明由于刻蚀阻挡层和钝化层的设置，能够达到不论采用干法刻蚀还是湿法刻蚀，避免出现源极和漏极在直接图形化过程中的过刻蚀步骤将会对氧化物半导体有源层带来的影响，进而防止造成器件特性变差的效果，本发明通过格栅改变衬底的透光率，避免了在光照条件下氧化物TFT器件特性将发生退化的现象，此外，在光照时NBS下器件的转移特性将发生明显的负向漂移，从而提高薄膜晶体管的成像效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括衬底（1）、栅极（2）、栅介质层（3）、有源层（4）、漏极（5）、源极（6）、刻蚀阻挡层（7）、钝化层（8）、基底（9）、晶体格栅（10）、微透镜（11）和反射片（12），其特征在于：所述栅极（2）设置于衬底（1）顶部的中间位置，所述栅极介质层（3）与衬底（1）底部的两侧和栅极（2）的顶部相叠加，所述有源层（4）的底部与栅极介质层（3）的顶部交错叠加，所述漏极（5）和源极（6）分别位于有源层（4）顶部的两侧，所述刻蚀阻挡层（7）位于有源层（4）顶部的中间位置，且刻蚀阻挡层（7）顶部的两侧分别与漏极（5）和源极（6）相对一侧的底部相叠加，所述钝化层（8）与漏极（5）和源极（6）的顶部形成包裹覆盖状态，所述基底（9）位于衬底（1）内部的中间位置，多个所述晶体格栅（10）位于基底（9）的内部，且晶体格栅（10）呈均匀分布状态，三个所述微透镜（11）分别位于晶体格栅（10）的右侧，所述反射片（12）位于晶体格栅（10）的左侧。
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