[发明专利]一种用于高质量氮化铝晶体生长的原料预处理方法在审
| 申请号： | 201910064968.3 | 申请日： | 2019-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN109576783A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 郝霄鹏;王国栋;张雷;吴拥中;邵永亮 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 陈桂玲 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种用于高质量氮化铝晶体生长的原料预处理方法，包括以下步骤：(1)将AlN粉末原料置于烧料坩埚内，烧料坩埚置于AlN晶体生长设备中，密封生长设备；(2)生长设备抽真空后通入高纯氮气，在氮气氛围下烧结，降至室温，得到AlN原料烧结体；(3)粉碎成AlN粉末颗粒；(4)将AlN粉末颗粒置于生长坩埚内，生长坩埚置于AlN晶体生长设备中，密封生长设备；(5)生长设备抽真空后通入高纯氮气，在氮气氛围下烧结，降至室温，得到AlN高纯多晶原料烧结体。该方法有效降低AlN原料中的杂质，在增加AlN原料粒径的同时，使AlN颗粒之间存在大的间隙，提高了AlN的气相传输能力，获得了缩聚均匀的AlN烧结体，满足高质量AlN晶体生长的原料要求。 | ||
| 搜索关键词： | 生长设备 烧结体 晶体生长设备 氮化铝晶体 原料预处理 氮气氛围 粉末颗粒 高纯氮气 生长坩埚 烧结 抽真空 坩埚 密封 多晶原料 粉末原料 晶体生长 气相传输 原料粒径 原料要求 生长 高纯 缩聚 | ||
【主权项】：
1.一种用于高质量氮化铝晶体生长的原料预处理方法，其特征是，包括以下步骤：(1)将AlN粉末原料置于烧料坩埚内，烧料坩埚置于AlN晶体生长设备中，密封生长设备；(2)生长设备抽真空后通入高纯氮气，在0.5‑0.8mbar的氮气氛围下，1500‑1800℃烧结5‑8小时，缓慢降至室温，得到AlN原料烧结体；(3)将AlN原料烧结体粉碎，得到AlN粉末颗粒；(4)将AlN粉末颗粒置于生长坩埚内，生长坩埚置于AlN晶体生长设备中，密封生长设备；(5)生长设备抽真空后通入高纯氮气，在≥1.0mbar的氮气氛围下，2000‑2250℃烧结10‑30小时，缓慢降至室温，得到AlN高纯多晶原料烧结体。
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