[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910065031.8 申请日: 2016-08-19
公开(公告)号: CN109920739A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 陈政廷;张胜杰;夏禹 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明实施例提供一种半导体封装结构。该结构包括:半导体元件;接垫,设置于半导体元件上;保护层,包括第一非导电材料,包括第一部分及第二部分,第一部分覆盖于除接垫之外的半导体元件上,第一部分的表面具有第一高度,第二部分覆盖于接垫的周边上,第二部分的表面具有第二高度,第一高度低于第二高度,接垫的中间部分暴露,第一部分与第二部分在接垫的边缘处衔接;平坦层,包括第二非导电材料,覆盖于第一部分上,平坦层的表面具有第二高度;凸点下金属层,包括第一金属材料,覆盖于平坦层、第二部分及中间部分上;及重新布线层,包括第二金属材料,覆盖于凸点下金属层上。
搜索关键词: 接垫 半导体元件 平坦层 覆盖 半导体封装结构 凸点下金属层 非导电材料 金属材料 重新布线层 保护层 边缘处 衔接 暴露 制造
【主权项】:
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:半导体元件;接垫,凸设于所述半导体元件的表面上;保护层,包括第一非导电材料,覆盖于所述半导体元件和所述接垫上,所述保护层包括覆盖于所述半导体元件表面的第一部分,以及被所述接垫垫高的第二部分;平坦层,包括第二非导电材料,覆盖于所述保护层的第一部分上,用于减小所述第一部分和所述第二部分之间的高度差,所述第二非导电材料包括硅氧化物;以及凸点下金属层,包括第一金属材料,覆盖于所述平坦层和所述保护层的第二部分上。
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