[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201910065031.8 | 申请日: | 2016-08-19 |
公开(公告)号: | CN109920739A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 陈政廷;张胜杰;夏禹 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种半导体封装结构。该结构包括:半导体元件;接垫,设置于半导体元件上;保护层,包括第一非导电材料,包括第一部分及第二部分,第一部分覆盖于除接垫之外的半导体元件上,第一部分的表面具有第一高度,第二部分覆盖于接垫的周边上,第二部分的表面具有第二高度,第一高度低于第二高度,接垫的中间部分暴露,第一部分与第二部分在接垫的边缘处衔接;平坦层,包括第二非导电材料,覆盖于第一部分上,平坦层的表面具有第二高度;凸点下金属层,包括第一金属材料,覆盖于平坦层、第二部分及中间部分上;及重新布线层,包括第二金属材料,覆盖于凸点下金属层上。 | ||
搜索关键词: | 接垫 半导体元件 平坦层 覆盖 半导体封装结构 凸点下金属层 非导电材料 金属材料 重新布线层 保护层 边缘处 衔接 暴露 制造 | ||
【主权项】:
1.一种半导体封装结构,其特征在于,包括:半导体元件;接垫,凸设于所述半导体元件的表面上;保护层,包括第一非导电材料,覆盖于所述半导体元件和所述接垫上,所述保护层包括覆盖于所述半导体元件表面的第一部分,以及被所述接垫垫高的第二部分;平坦层,包括第二非导电材料,覆盖于所述保护层的第一部分上,用于减小所述第一部分和所述第二部分之间的高度差,所述第二非导电材料包括硅氧化物;以及凸点下金属层,包括第一金属材料,覆盖于所述平坦层和所述保护层的第二部分上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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