[发明专利]一种高响应紫外探测器的制作方法

摘要

一种高响应紫外探测器的制作方法，属于半导体器件制备技术领域，本发明通过在GaN籽晶层上形成具有条形或十字形沟槽窗口的掩膜层，并控制生长掩膜沿指定晶向排列，然后利用MOCVD选择性横向外延工艺获得低缺陷密度的半极性晶面Al_xGa_1‑xN材料，最后在Al_xGa_1‑xN材料表面制备金属叉指结构电极形成肖特基接触，从而实现高响应紫外探测器。

主权项

1.一种高响应紫外探测器的制作方法，其特征在于包括以下步骤：1）采用等离子体增强化学气相沉积法在GaN籽晶层上生长掩膜层；2）采用光刻工艺和湿法腐蚀方法，在掩膜层上开出条形或十字形沟槽窗口，直至沟槽窗口的底部暴露出GaN籽晶层，然后清洗；3）采用金属有机物化学气相沉积法，在具有沟槽窗口的半制品一侧依次外延生长半极性面GaN材料层和Al_xGa_1‑xN材料层，其中x为0～1；4）利用光刻工艺定义金属叉指电极区域，通过电子束蒸发工艺形成Ni/Au双层金属MSM电极结构，然后在700～900℃温度范围内的氮气下进行20～50秒的快速热退火，形成Al_xGa_1‑xN/Ni/Au肖特基接触，即得高响应紫外探测器。