[发明专利]一种NAND Flash弱块筛选的方法在审
| 申请号： | 201910066707.5 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109830257A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 曹成;王彬;吴斌 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种NAND Flash弱块筛选的方法，包括以下步骤：S01）、选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber；S02）、从NAND Flash序号为0的块开始进行筛选，直到最后一个块；S03）、将块磨损N次，N为正整数；S04）、将块写入数据模型X的数据；S05）、读取块中每页数据，获得RBER；S06）、判断每页的REER是都大于REER阈值THrber；S07）、每页的REER若大于REER阈值THrber，说明该块为弱块，进行标注，并进行下一个块的筛选，重复步骤S03至S08；S08）、若不大于，则选取下一种数据模型进行测试，重复步骤S04至S08。 | ||
| 搜索关键词： | 筛选 数据模型 磨损 读取 写入数据 页数据 正整数 重复 标注 测试 | ||
【主权项】：
1.一种NAND Flash弱块筛选的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、选定环境温度T、磨损次数N、数据模型X、RBER阈值THrber；S02）、从NAND Flash序号为0的块开始进行筛选，直到最后一个块；S03）、将块磨损N次，N为正整数；S04）、将块写入数据模型X的数据；S05）、读取块中每页数据，获得RBER；S06）、判断每页的REER是都大于REER阈值THrber；S07）、每页的REER若大于REER阈值THrber，说明该块为弱块，进行标注，并进行下一个块的筛选，重复步骤S03至S08；S08）、若不大于，则选取下一种数据模型进行测试，重复步骤S04至S08。
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