[发明专利]光电二极管有效
| 申请号： | 201910066828.X | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109817755B | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 侯孟军 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/107 | 分类号： | H01L31/107;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请提供一种光电二极管，所述光电二极管包括衬底、形成于所述衬底上的窗口层、形成于所述窗口层上的具有第一导电类型的第一导电层、形成于所述第一导电层上的吸收层、形成于所述吸收层上的具有第一导电类型的组分渐变层、形成于所述组分渐变层上的倍增层及形成于所述倍增层上的具有第二导电类型的第二导电层。其中，所述衬底的生长方向为[0001]方向，沿由下至上的方向，所述组分渐变层的禁带宽度逐渐减小，所述倍增层的禁带宽度大于所述组分渐变层的禁带宽度的最小值。 | ||
| 搜索关键词： | 光电二极管 | ||
【主权项】：
1.一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括：衬底，所述衬底的生长方向为[0001]方向；形成于所述衬底上的窗口层；形成于所述窗口层上的具有第一导电类型的第一导电层；形成于所述第一导电层上的吸收层；形成于所述吸收层上的具有第一导电类型的组分渐变层，沿由下至上的方向，所述组分渐变层的禁带宽度逐渐减小；形成于所述组分渐变层上的倍增层，所述倍增层的禁带宽度大于所述组分渐变层的禁带宽度的最小值；形成于所述倍增层上的具有第二导电类型的第二导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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