[发明专利]一种制备高热导率氮化硅陶瓷的方法有效
| 申请号： | 201910067010.X | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109851369B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 曾宇平;王为得;左开慧;夏咏锋;姚冬旭;尹金伟;梁汉琴 | 申请（专利权）人： | 江西中科上宇科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/584 | 分类号： | C04B35/584;C04B35/645 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 333032 江*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种制备高热导率氮化硅陶瓷的方法，包括：将α‑Si |
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| 搜索关键词： | 一种 制备 高热 氮化 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备氮化硅陶瓷的方法，其特征在于，包括：将α‑Si3N4粉体和烧结助剂混合均匀，压制成型制得坯体；将所述坯体在惰性气氛下于1780℃～1950℃进行气压烧结，然后冷却至室温，得到所述氮化硅陶瓷；所述烧结助剂由硅化物和碱土金属氧化物组成，所述α‑Si3N4粉体与所述烧结助剂的比例为（90mol%:10mol%）～（99mol%:1mol%）。
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