[发明专利]使用带电粒子束测量集成电路内的高速电活动的方法和设备在审
申请号: | 201910067120.6 | 申请日: | 2019-01-24 |
公开(公告)号: | CN110082664A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | J.威克斯;S.索曼尼;C.坎波希亚罗;Y.波洛夫 | 申请(专利权)人: | FEI公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G01R31/307 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 刘茜璐;闫小龙 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本文描述的是制备集成电路(IC)的系统和方法,使得所述IC保持电有源性并且可以使用带电粒子束探测其有源电路以用于诊断和表征目的。所述系统采用能够透过所述IC的硅基板观察以对其中的电路成像的红外摄像机、既可以对所述IC成像又可以从所述IC上选择性去除基板材料的聚焦离子束系统、既可以对所述IC上的结构成像又可以测量来自所述IC上的有源电路的电压对比信号的扫描电子显微镜、以及提取所述有源IC产生的热量的装置。所述方法使用所述系统来识别待探测的IC区域,并使用离子轰击选择性地去除所述待探测区域上的所有基板材料,并进一步识别铣削到所需深度的终点检测装置以便观测所述有源IC上的电状态和波形。 | ||
搜索关键词: | 带电粒子束 基板材料 源电路 源IC 成像 探测 聚焦离子束系统 扫描电子显微镜 测量集成电路 终点检测装置 方法和设备 红外摄像机 选择性去除 电压对比 方法使用 结构成像 离子轰击 探测区域 电活动 电状态 硅基板 铣削 去除 制备 集成电路 电路 测量 观测 诊断 观察 | ||
【主权项】:
1.一种测量IC中的电活动的方法,所述方法包括:以第一频率电激活所述IC;将带电粒子束引导到所述IC上的探测器位置;以第二频率调制所述带电粒子束,第二频率与第一频率不同;并且检测由于所述带电粒子束从所述探测器位置发射的二次电子,其中由于对所述带电粒子束的调制,所述二次电子处于接收二次电子的检测器的带宽内。
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