[发明专利]一种直流电沉积制备锡铟纳米线的方法有效
| 申请号： | 201910067655.3 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109576645B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘志权;孟智超;曹丽华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C23C28/02;C25D3/32;C25D3/54;C25D5/54;C25D7/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种直流电沉积制备锡铟纳米线的方法，属于电子材料领域。该方法首先以纳米多孔聚碳酸酯膜或阳极氧化铝膜(AAO)为模板，通过磁控溅射的方法在模板底部溅射银种子层，并在通孔底端以铜为底板，然后采用直流电镀方式从种子层底端向通孔内依次填充锡纳米线和铟纳米线。本发明提出的直流电沉积填充方法可以获得组织性能稳定、高导电导热性、可塑性高等特点的锡铟纳米线。锡铟作为传统焊料的主要成分，其纳米形态的材料同样具有低成本、低熔点、良好的焊接能力和机械性能，以及与金属基体优异的润湿性，适用于自组装纳米结构之间的有效连接和互连，实现具有热功能和电功能的有效纳米级互连，为纳米级焊料界面反应研究提供新的方向和思路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直流电 沉积 制备 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种直流电沉积制备锡铟纳米线的方法，其特征在于：该方法是采用直流电沉积法，在多孔模板的纳米级孔洞中依次交替生长锡纳米线和铟纳米线，最终获得锡铟纳米线；制备过程中通过控制电流大小和/或沉积时间来控制纳米线的长度。
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