[发明专利]一种芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201910067934.X | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109904119B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 刘桂芝;周尧;崔凤敏;蒋小强 | 申请（专利权）人： | 上海南麟电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种芯片的制备方法，包括步骤：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括若干芯片区域以及位于所述芯片区域之间的划片槽区域；于所述划片槽区域形成测试焊盘结构，所述测试焊盘结构包括形成于所述划片槽区域的测试焊盘凹槽和形成于所述测试焊盘凹槽内的测试焊盘导电层，所述测试焊盘结构与所述芯片区域电性连接；采用激光于所述划片槽区域形成划片凹槽，以去除所述划片凹槽内的所述测试焊盘导电层；基于划片凹槽对所述半导体晶圆进行划片。本发明的芯片的制备方法能降低划片难度，提高划片效率，保护划片刀，减小划片时对内部芯片的损伤，减小芯片体积，提高了芯片的集成度，流程简单，能量产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种芯片的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括若干芯片区域以及位于所述芯片区域之间的划片槽区域；于所述划片槽区域形成测试焊盘结构，所述测试焊盘结构包括形成于所述划片槽区域的测试焊盘凹槽和形成于所述测试焊盘凹槽内的测试焊盘导电层，所述测试焊盘结构与所述芯片区域电性连接；采用激光于所述划片槽区域形成划片凹槽，以去除所述划片凹槽内的所述测试焊盘导电层；基于划片凹槽对所述半导体晶圆进行划片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
