[发明专利]发光元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910068664.4 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN111477647A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 邱柏顺;蒋宗勋;纪喨胜;蒋晶;陈洁;叶宗勋;王心盈;叶慧君;沈建赋 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光元件及其制造方法，该发光元件包含：基板，包含上表面；第一发光单元以及第二发光单元，分别位于上表面上，其中第一发光单元及第二发光单元分别包含下部半导体层以及上部半导体层；以及导电结构，电连接第一发光单元及第二发光单元；其中，第一发光单元的下部半导体层包含：第一上表面未被上部半导体层所覆盖，以及第一侧壁；其中第一侧壁包含第一子侧壁以及第二子侧壁，第一子侧壁与第一上表面的内夹角为钝角，且第二子侧壁与上表面的内夹角为钝角。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
