[发明专利]发光二极管外延片的生长方法在审
| 申请号： | 201910069091.7 | 申请日： | 2019-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN109888064A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括：提供一衬底；在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；P型半导体层包括依次层叠的多个子层，第一个层叠的子层采用如下方式生长：打开镁源和氮源，在有源层的表面形成镓空位；打开铟源和镓源，对镁进行活化；关闭铟源，在有源层的表面形成子层；其它子层采用如下方式生长：关闭镓源，在已形成的子层的表面形成镓空位；打开镓源，在已形成的子层的表面形成子层；多个子层的厚度沿多个子层的层叠方向逐渐增大，多个子层中镁的掺杂浓度和多个子层的生长温度沿多个子层的层叠方向逐渐升高。本发明可有效增加P型半导体层提供的空穴数量。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 生长 表面形成 源层 镓源 发光二极管外延 层叠方向 镓空位 衬底 铟源 半导体技术领域 空穴 依次层叠 逐渐增大 缓冲层 氮源 活化 镁源 掺杂 升高 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；其中，所述P型半导体层包括依次层叠的多个子层，第一个层叠的所述子层采用如下方式生长：打开镁源和氮源，在所述有源层的表面形成镓空位；打开铟源和镓源，对镁进行活化；关闭铟源，在所述有源层的表面形成所述子层；所述多个子层中除第一个层叠的所述子层之外的其它所述子层采用如下方式生长：关闭镓源，在已形成的所述子层的表面形成镓空位；打开镓源，在已形成的所述子层的表面形成所述子层；所述多个子层的厚度沿所述多个子层的层叠方向逐渐增大，所述多个子层中镁的掺杂浓度沿所述多个子层的层叠方向逐渐升高，所述多个子层的生长温度沿所述多个子层的层叠方向逐渐升高。
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