[发明专利]一种金属氧化物存储器及其制备方法

摘要

本发明涉及了一种金属氧化物存储器及其制备方法。该金属氧化物晶体管存储器采用顶栅垂直结构，器件自下而上依次是纯硅片基底、漏电极、金属氧化物半导体薄膜、网状源极和源极接触电极、绝缘层和顶部栅极。垂直结构金属氧化物存储器除电极外，其余各层均采用旋涂法制备。本发明提供的垂直结构金属氧化物存储器，可突破传统工艺对尺寸的限制，并实现大的电流密度和出色的存储性能以及快速的存储速度，在非易失性存储、柔性存储器和智能机器人等方面有很大的应用前景。

主权项

1.一种金属氧化物存储器，其特征在于：所述金属氧化物存储器为顶栅垂直结构，包括基底，所述基底上方的左侧设置有漏极，右侧设置有源极接触电极；漏极的上方自下而上依次为半导体层、网状源极、绝缘层和顶部栅极，所述网状源极的右侧位于源极接触电极的上方，所述基底为纯硅片，所述半导体层为金属氧化物半导体，所述网状源极为多孔银薄膜，所述绝缘层为铁电材料。