[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法

摘要

一种逆导型绝缘栅双极性晶体管结构及其制备方法，本发明涉及于功率半导体器件，针对现有技术RC‑IGBT器件中存在的问题，本发明提供一种新型RC‑IGBT的器件结构及其制造方法，以在有效抑制器件的开启电压折回现象(snap back)的基础上，改善器件内部电流分布的均匀性，减低器件的导通损耗，提升器件的可靠性。本发明提供的技术方案是在n型场截止层的内部设n‑型缓冲层，所述n‑型缓冲层位于n+阴极区之上，且所述n‑型缓冲层的峰值掺杂浓度低于所述n型场截止层的峰值掺杂浓度。

主权项

1.一种逆导型绝缘栅双极性晶体管结构，所述的晶体管结构包括有位于器件底部的集电极；一个以上交错排布于所述集电极之上的p⁺集电极区和n⁺阴极区；位于所述p⁺集电极区和n⁺阴极区之上的n型场截止层；位于所述n型场截止层之上的n^‑型漂移区；从n^‑型漂移区的上表面延伸入n^‑型漂移区的一系列平行排列的沟槽，所述的沟槽内设有栅电极，所述栅电极与相应沟槽内壁之间被一个栅介质层隔离；位于n^‑漂移区之上的p型体区，所述p型体区与相邻沟槽的侧壁毗连；位于p型体区之上的n⁺发射极区和p⁺接触区，所述n⁺发射极区与相邻沟槽的一个侧壁毗连；位于器件顶部的发射极电极，所述的发射极电极与所述n⁺发射极区和p⁺接触区相连；所述的发射极电极与栅电极之间设有将两个电极隔离的层间介质层；其特征在于，在所述n型场截止层的内部还设有n^‑型缓冲层，所述n^‑型缓冲层位于n⁺阴极区之上，且所述n^‑型缓冲层的峰值掺杂浓度低于所述n型场截止层的峰值掺杂浓度。