[发明专利]一种MicroLED的巨量转移和色彩变换的方法有效
| 申请号： | 201910072285.2 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109920885B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 徐从康;顾而丹;王江涌 | 申请（专利权）人： | 汕头大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/67;H05K13/04 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 曹江;周增元 |
| 地址： | 515000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MicroLED的巨量转移和色彩变换的方法，主要包括：（1）在蓝宝石衬底上制作阵列化图形的基于GaN的绿光、蓝光倒装芯片，再退火处理；（2）用激光分解GaN缓冲层，从而将蓝宝石剥离掉；（3）将阵列化图形的绿光、蓝光倒装芯片分别一次性平移到驱动基板的上，用ICP刻蚀掉薄膜，分开相互连接的芯片；（4）通过SMT倒装回流焊接芯片到驱动基板上；（5）涂布量子点到目标芯片的上端表面通过蓝光或绿光激发出红光。本发明将绿光和蓝光微型芯片一次性批量转移到驱动基板上，芯片转移量大、简单、方便、快捷，降低了转移的次数和时间，同时最少使用量子点获得RGB色彩转换，极大地提高了显示质量，降低了Micro‑LED的生产成本，推动了产业化进程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 microled 巨量 转移 色彩 变换 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MicroLED的巨量转移和色彩变换的方法，其特征在于，主要包括以下步骤：步骤1、在含磊晶层的蓝宝石衬底LED晶圆上通过光刻蚀或ICP刻蚀分别制作阵列化图形的基于GaN的绿光倒装芯片、蓝光倒装芯片；对制作的绿光倒装芯片、蓝光倒装芯片分别在真空炉中做退火处理；步骤2、用激光分解绿光倒装芯片和蓝光倒装芯片上的GaN缓冲层，从而将蓝宝石剥离掉；步骤3、将薄膜支撑的图案形绿光倒装芯片和蓝光倒装芯片分别一次性平移到驱动基板的上，绿光倒装芯片和蓝光倒装芯片按规律穿插排列；用ICP刻蚀掉薄膜，分开相互连接的芯片；步骤4、通过SMT倒装回流焊接芯片到驱动基板上；步骤5、涂布量子点到目标芯片的上端表面通过蓝光或绿光激发出红光。
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