[发明专利]半导体器件和制作方法有效
| 申请号： | 201910072861.3 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110061060B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 吴振华;李俊杰;郭鸿;甘维卓;殷华湘;朱慧珑;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本申请提供了一种半导体器件和制作方法。该制作方法包括：在第一子层的部分表面上形成第二预半导体墙，第二预半导体墙包括依次叠置的第二子层、第一掺杂层，沟道层、第二掺杂层、金属层、第三掺杂层和硬掩膜层，第一子层和第二子层形成衬底，第二子层位于第一子层的部分表面上，第一掺杂层的掺杂类型与第二掺杂层的掺杂类型相同，第一掺杂层的掺杂类型和第三掺杂层的掺杂类型相反。该制作方法形成的半导体结构中，第二掺杂层、金属层和第三掺杂层相当于源区，第一掺杂层相当于漏区，使得该器件的关态漏电流截断热电流，只隧穿电流，开态工作电流保留热电流，使得I |
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| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一子层的部分表面上形成第二预半导体墙，所述第二预半导体墙包括依次叠置的第二子层、第一掺杂层，沟道层、第二掺杂层、金属层、第三掺杂层和硬掩膜层，所述第一子层和所述第二子层形成衬底，且所述第二子层位于所述第一子层的部分表面上，所述第一掺杂层的掺杂类型与所述第二掺杂层的掺杂类型相同，所述第一掺杂层的掺杂类型和所述第三掺杂层的掺杂类型相反。
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