[发明专利]用于编程分裂栅极存储器单元的方法和对应的存储器器件有效
| 申请号： | 201910073190.2 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110085273B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | F·拉罗萨;M·曼泰利;S·尼埃尔;A·雷尼耶 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/30;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及用于编程分裂栅极存储器单元的方法和对应的存储器器件。一种分裂栅极存储器单元包括状态晶体管和选择晶体管，状态晶体管拥有控制栅极和浮置栅极，选择晶体管拥有选择栅极。分裂栅极存储器单元通过在编程持续时间期间向控制栅极施加第一电压、向状态晶体管的漏极施加第二电压、以及向选择晶体管的选择栅极施加第三电压来被编程。第三电压在编程持续时间期间在第一值和第二值之间转换，该第二值大于第一值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 编程 分裂 栅极 存储器 单元 方法 对应 器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于对分裂栅极存储器单元进行编程的方法，所述分裂栅极存储器单元包括状态晶体管和选择晶体管，所述状态晶体管拥有控制栅极和浮置栅极，所述选择晶体管拥有选择栅极，所述方法包括：在编程持续时间期间向所述控制栅极施加第一电压，向所述状态晶体管的漏极施加第二电压，并且向所述选择晶体管的所述选择栅极施加第三电压；以及在所述编程持续时间期间在第一值和第二值之间转换所述第三电压，所述第二值大于所述第一值。
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