[发明专利]一种非易失性存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910073263.8 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111430353B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 陈耿川 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种非易失性存储器及其制造方法，包括：衬底；至少一浮栅结构，位于所述衬底上，所述浮栅结构依次包括浮栅介电层及浮栅导电层；至少一字线结构，位于所述浮栅结构上，所述字线结构依次包括字线介电层及字线导电层；至少一漏区，位于所述衬底上，所述漏区与所述浮栅结构的第一边缘相邻；至少一源区，位于所述衬底上，所述源区与所述浮栅结构的第二边缘相邻；至少一周围掺杂区，位于所述衬底上，形成于所述源区的两侧周围，且所述周围掺杂区与所述浮栅结构的第二边缘相邻，所述周围掺杂区的掺杂类型不同于所述源区的掺杂类型；本发明提出的非易失性存储器结构简单，制造工艺可操作性强；在进行读写操作时，能够降低电压，简化电路设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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