[发明专利]一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法在审
| 申请号： | 201910073926.6 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN109888050A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 汤乃云;李国鑫 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 刘燕武 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法，包括以下步骤：(1)先Si衬底层上生长SiO2介质层；(2)接着，在SiO2介质层上转移一层MoTe2层，激光加热氧化，形成P型材料；(3)随后，在P型材料的MoTe2层的部分区域转移一层MoS2层，构成垂直异质结；(4)最后，在Si衬底层、MoTe2层和MoS2层上分别生长一个金属电极，即完成制备。与现有技术相比，本发明构建的器件具有很好的光透过能力和光吸收能力等优异光电特性，此外，还可实现区域内载流子的特殊传输行为和层间量子耦合行为并用来调节器件的电学和光学特性，具有广泛的应用前景等。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 光电二极管 电场 二维材料 衬底层 介质层 可控的 载流子 光吸收能力 传输行为 调节器件 光电特性 光学特性 激光加热 金属电极 区域转移 耦合行为 光透过 异质结 电学 生长 层间 构建 量子 并用 垂直 应用 | ||
【主权项】：
1.一种制备电场可控的二维材料光电二极管的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)先Si衬底层上生长SiO2介质层；(2)接着，在SiO2介质层上转移一层MoTe2层，激光加热氧化，形成P型材料；(3)随后，在P型材料的MoTe2层的部分区域转移一层MoS2层，构成垂直异质结；(4)最后，在Si衬底层、MoTe2层和MoS2层上分别生长一个金属电极，即完成制备。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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