[发明专利]一种制作InSb红外探测器的材料结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种制作InSb红外探测器的材料结构及其制备方法，该材料结构包括衬底、以及在衬底上依次生长的防漏电缓冲层、n型InSb重掺杂层、InSb本征吸收层、p型InSb轻掺杂层、p型AlInSb势垒层和p型InSb重掺杂层。制备方法是在衬底上采用MBE的方法依次生长防漏电缓冲层、n型InSb重掺杂层等。本发明通过防漏电缓冲层减少了InSb的缺陷密度和漏电流，采用p型重掺杂势垒层，降低了InSb红外探测器的在反偏电压下的暗电流和工作时的噪声电流，提高了探测率和最高工作温度。

主权项

1.一种制作InSb红外探测器的材料结构，其特征在于，包括衬底(10)、防漏电缓冲层(20)、n型InSb重掺杂层(30)、InSb本征吸收层(40)、p型InSb轻掺杂层(50)、p型AlInSb势垒层(60)和p型InSb重掺杂层(70)；防漏电缓冲层(20)为InSb/InAlSb的超晶格结构，生长在衬底(10)上；防漏电缓冲层(20)的结构为第一InAlSb层，其上生长第一InSb层，第一InSb层上再生长第二InAlSb层，第二InAlSb层上生长第二InSb层，第二InSb层上生长第三InAlSb层，第三InAlSb层上生长第三InSb层；n型InSb重掺杂层(30)生长在防漏电缓冲层(20)上；InSb本征吸收层(40)生长在n型InSb重掺杂层(30)上；p型InSb轻掺杂层(50)生长在InSb本征吸收层(40)上；p型AlInSb势垒层(60)生长在p型InSb轻掺杂层(50)上；p型InSb重掺杂层(70)生长在p型AlInSb势垒层(60)上。