[发明专利]一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 201910075768.8 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN110408989B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 吕洋洋;陈思思;林大钧;陈延彬;姚淑华;周健;陈延峰 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B28/02 | 分类号： | C30B28/02;C30B25/00;C30B29/22;C30B29/64 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 聂稻波;谢怡婷 |
| 地址： | 210023 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种氧化物热电材料BiCuSeO单晶体及其制备方法，所提供的BiCuSeO单晶体气相输运生长方法具有装置简单、易于操作等优点。所制备的BiCuSeO单晶体材料，具有很高的晶体质量，所述BiCuSeO单晶体的尺寸达毫米级，面积达平方毫米级，所述单晶体材料提供了一个理想的系统来阐明材料的固有物理性能。这对研究如何有效地提高BiCuSeO基热电材料的热电性能以便开发相关热电器件具有重要的意义。所提供的BiCuSeO单晶体是一种氧化物热电材料，可用作理想的高温热电材料用来开发相关热电器件。气相输运法生长晶体，具有生长的晶体纯度高、品质高、成本低、可操作性强等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 热电 材料 bicuseo 单晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种BiCuSeO单晶体，其中，所述BiCuSeO单晶体的至少一维尺寸达毫米级，面积达平方毫米级。
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