[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910080126.7 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN111489972A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 张焕云;吴健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在第一区域形成第一栅极结构，第一栅极结构包括第一初始伪栅介质层和位于第一初始伪栅介质层上的第一伪栅极层；在第二区域形成第二栅极结构，第二栅极结构包括第二伪栅介质层和位于第二伪栅介质层上的第二伪栅极层；去除第一伪栅极层，在第一区域形成第一栅开口，第一栅开口暴露出第一初始伪栅介质层；去除第二伪栅极层，在第二区域形成第二栅开口，第二栅开口暴露出第二伪栅介质层；对第一栅开口暴露出的第一初始伪栅介质层进行氮化处理，形成第一伪栅介质层；形成第一伪栅介质层后，去除暴露出的第二伪栅介质层。所形成的半导体结构改善了晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
