[发明专利]谐振器制作方法在审
| 申请号： | 201910080487.1 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN110868189A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 李亮;吕鑫;梁东升;刘青林;马杰;崔玉兴;张力江;刘相伍;杨志;商庆杰;李宏军;钱丽勋;李丽;李丰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03H9/15 | 分类号： | H03H9/15;H03H3/02 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 郝伟 |
| 地址： | 050051 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器制作方法。该谐振器制作方法包括：对衬底进行预处理，形成预设厚度的介质层；对介质层的预设区域进行离子注入处理；对经过离子注入处理后的介质层进行刻蚀或腐蚀，形成牺牲材料部分；所述牺牲材料部分的形状为顶面为平面且竖截面呈桥状结构；在已形成牺牲材料部分的衬底上形成多层结构，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；去除所述牺牲材料部分。上述谐振器制作方法相对于传统的谐振器制作方法对谐振器工作区域的表面粗糙度更为容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 谐振器 制作方法 | ||
【主权项】：
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