[发明专利]一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法

摘要

本发明为一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法，即在圆柱漂移管z0≤z≤z1范围内，施加沿‑r方向的径向电场，在均匀磁场的约束下，电子进行拉莫尔回旋运动，经过施加局部电场的区域时，径向电场对电子做功以改变电子束径向振荡，当电子进入局部电场区域时处于径向振荡的峰值附近，且离开局部电场区域时处于径向振荡的谷值附近时，沿‑r方向的径向电场会对电子做负功，从而减小电子束的横向动量，最终达到抑制电子束径向振荡的目的。

主权项

1.一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法，其特征在于：电子束在磁感应强度为B的均匀轴向引导磁场约束下经过半径为R_d的圆柱漂移管，其运动的引导中心径向位移为R₀，且有r_L<R₀，R₀+r_L<R_d，其中r_L为电子拉莫尔回旋半径；在z₀≤z≤z₁范围内的电子运动路径上施加电场强度绝对值为E_r的径向电场，电场方向沿‑r方向；径向电场区域起始位置z₀与最邻近电子径向振荡峰值轴向位置z_max的偏差满足：|z₀‑z_max|≤0.15v_zT  (1)径向电场区域末端位置z₁与最邻近电子径向振荡谷值轴向位置z_min的偏差满足：|z₁‑z_min|≤0.15v_zT  (2)其中v_z和T分别为z<z₀区域的电子轴向速度和回旋周期；所加载的局部电场对电子束做负功，减小电子束横向动量，从而抑制电子束径向振荡。