[发明专利]一种在Si/C复合材料上生长石墨烯的方法、利用该方法制得的材料以及其应用在审
| 申请号： | 201910082486.0 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109742379A | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 栾志博;李瑞君;李建英 | 申请（专利权）人： | 哈工大机器人（岳阳）军民融合研究院 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/052;C01B32/188 |
| 代理公司： | 北京格允知识产权代理有限公司 11609 | 代理人： | 张沫;谭辉 |
| 地址： | 414000 湖南省岳阳市城陵*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在Si/C复合材料上生长石墨烯的方法、利用该方法制得的材料以及其应用。该方法包括：(1)利用化学气相沉积法在Si/C复合物上依次沉积镍膜和铜膜，得到Cu/Ni/Si/C复合物；(2)将Cu/Ni/Si/C复合物置于氩气和氢气的环境下进行退火处理；(3)再利用化学气相沉积法将经步骤(2)处理后的Cu/Ni/Si/C复合物置于甲烷和氢气的气氛下反应，再在氩气的保护下冷却至室温，从而在Si/C复合材料上生长出石墨烯。该方法减少了石墨烯在电芯材料中的添加或对石墨烯薄膜的转移、涂敷工艺，能够避免破坏已有石墨烯的化学性质。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 复合物 复合材料 化学气相沉积 氩气 氢气 生长 石墨烯薄膜 退火处理 再利用 甲烷 沉积 电芯 镍膜 铜膜 涂敷 应用 冷却 | ||
【主权项】：
1.一种在Si/C复合材料上生长石墨烯的方法，其特征在于，所述方法包括：(1)利用化学气相沉积法在Si/C复合物上依次沉积镍膜和铜膜，得到Cu/Ni/Si/C复合物；(2)将Cu/Ni/Si/C复合物置于氩气和氢气的环境下进行退火处理；(3)再利用化学气相沉积法将经步骤(2)处理后的Cu/Ni/Si/C复合物置于甲烷和氢气的气氛下反应，再在氩气的保护下冷却至室温，从而在Si/C复合材料上生长出石墨烯。
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